[发明专利]一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610201240.7 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105859152B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;乐忠威;杨玮;夏傲;任慧君 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 岳培华 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法，该薄膜包括复合在一起的CoFe2O4和Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3，x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0。制备时先配制CoFe2O4前驱液和Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液，然后用旋涂法和逐层退火的工艺在FTO基板上制备磁性CoFe2O4薄膜，再在CoFe2O4上制备Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜，形成高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。本发明通过离子掺杂和与磁性CoFe2O4薄膜进行复合，大幅度提高了薄膜的介电、铁电和铁磁性能，还有效的降低了薄膜的漏电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 bi sub 0.96 sr 0.04 feo cofe 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜，其特征在于：包括复合在一起的上层膜和下层膜，其中下层膜为CoFe2O4晶态膜，上层膜为Bi0.96Sr0.04FeO3基晶态膜，其结构式为Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3，x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0；所述的Bi0.96Sr0.04FeO3基晶态膜属于R3c:H空间群，具有三方结构；CoFe2O4晶态膜属于R3c:H空间群，具有三方结构，晶胞参数a＝b＝c＝8.3763。
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