[发明专利]沉积材料的方法和设备有效
| 申请号： | 201610201666.2 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106011761B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·R·伯吉斯;R·辛德曼;阿米特·拉斯托吉;保罗·埃杜拉多·利马;C·L·威迪克斯;保罗·理查;斯科特·海莫尔;丹尼尔·库克 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及沉积材料的方法和设备。本发明提供一种在腔室内用脉冲DC磁控装置通过脉冲DC磁控溅射将介电材料沉积到衬底上的方法，所述脉冲DC磁控装置产生一个或多个初级磁场；其中，溅射材料从靶材中溅射出，其中，所述靶材和所述衬底隔开2.5～10cm的间隙，并且在所述腔室内产生次级磁场，所述次级磁场引起由所述脉冲DC磁控装置产生的等离子体向所述腔室的一个或多个壁扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 材料 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种在腔室内用脉冲DC磁控装置通过脉冲DC磁控溅射将介电材料沉积到衬底上的方法，所述脉冲DC磁控装置产生一个或多个初级磁场；其中，从靶材中溅射出溅射材料，其中，所述靶材和所述衬底隔开2.5～10cm的间隙，并且在所述腔室内产生次级磁场，所述次级磁场引起由所述脉冲DC磁控装置产生的等离子体向所述腔室的一个或多个壁扩展。
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