[发明专利]带有ESD结构的沟槽型半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种带有ESD结构的沟槽型半导体器件及其制造方法，通过在半导体衬底上形成第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽的宽度小于第二沟槽；并在形成第一沟槽和第二沟槽后的半导体衬底上依次形成第一氧化层和第一介质层；在第一介质层上涂覆完全填充第二沟槽的第一掩膜介质；去除第一沟槽与第二沟槽外的第一介质层；在第二沟槽内形成静电放电ESD结构的离子注入区，该离子注入区包括并列且交替排列的P+型区和N+型区。从而通过将ESD结构的离子注入区设置在大于第一沟槽的第二沟槽内，使得该ESD结构在形成过程中不需要采用光刻掩模版进行光刻刻蚀，而直接采用回刻的方式将沟槽型半导体器件沟槽外部平面处的多晶硅刻蚀掉，简化制作工艺，降低制作成本。

主权项

一种带有ESD结构的沟槽型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度；在形成所述第一沟槽和所述第二沟槽后的半导体衬底上依次形成第一氧化层和第一介质层，且所述第一介质层完全填充所述第一沟槽；在所述第一介质层上涂覆第一掩膜介质，且所述第一掩膜介质完全填充所述第二沟槽；去除所述第一沟槽与所述第二沟槽外的所述第一介质层；去除所述第二沟槽内的所述第一掩膜介质；在所述第二沟槽内形成静电放电ESD结构的离子注入区，所述离子注入区包括并列且交替排列的P+型区和N+型区。