[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201610202011.7 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN105609509A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一个目的在于提供包括氧化物半导体膜的晶体管,其用于显示装置的像素部分,并且具有高可靠性。一种显示装置具有第一栅电极;在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜;在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜;在所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极;在所述源电极、漏电极和氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜;在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极;在所述第二栅极绝缘膜上的具有平坦性的有机树脂膜;在所述具有平坦性的有机树脂膜上的像素电极,其中,通过二次离子质谱法测量的所述氧化物半导体膜内含有的氢原子的浓度低于1×1016cm-3。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示装置,包括:第一栅电极;在所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜;在所述第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜,所述氧化物半导体膜包括In、Ga和Zn的三组分金属氧化物;在所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极,其中所述源电极和所述漏电极电连接至所述氧化物半导体膜;在所述源电极、所述漏电极和所述氧化物半导体膜上的第二栅极绝缘膜;在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极;在所述第二栅极绝缘膜上的具有平坦性的有机树脂膜;在所述具有平坦性的有机树脂膜上的像素电极,其中所述像素电极电连接至所述源电极或者所述漏电极;与所述像素电极相邻的液晶层;以及在所述像素电极和所述液晶层上的对置基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的