[发明专利]为细线和空间封装应用形成高密度金属布线的方法及由此形成的结构有效
| 申请号： | 201610202493.6 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105762083B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | C-W.黄;Y.托米塔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/00;H05K3/10;H05K3/12;H05K3/46 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李啸;付曼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述形成微电子装置结构的方法。那些方法可包括：形成通过积聚结构与设置在积聚结构上的光敏材料的至少一个开口，其中积聚结构包括封装衬底的一部分；用含金属纳米胶填充至少一个开口；以及烧结含金属纳米胶，以在至少一个开口中形成整体性质金属结构。 | ||
| 搜索关键词： | 细线 空间 封装 应用 形成 高密度 金属 布线 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成微电子结构的方法，包括：/n形成通过积聚材料与设置在所述积聚材料上的光敏材料的至少一个开口，其中所述积聚材料包括封装衬底的一部分，其中所述至少一个开口包括通过所述光敏材料并且进入所述积聚材料中的线部分和在所述积聚材料中的通孔触点部分，其中所述线部分比所述通孔触点部分宽；/n用含金属纳米胶填充所述至少一个开口；以及/n烧结所述含金属纳米胶，以在所述至少一个开口中形成整体性质金属结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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