[发明专利]发光二极管封装构造及其承载件有效
申请号: | 201610203583.7 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN105655471B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 詹勋伟 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种发光二极管封装构造及其承载件,所述发光二极管封装构造包含一承载件、一发光二极管芯片以及至少一导线。所述承载件包括一导线架及一绝缘膠體,所述导线架具有一芯片承座以及至少一电极,所述芯片承座与电极之间通过一间隙形成电性绝缘;所述电极具有至少一凹陷结构,所述绝缘膠體底部的绝缘材料包覆部分所述导线架,并且填充至所述间隙及凹陷结构中,所述凹陷结构内的绝缘材料可延长外部水气渗入到所述承载件内的路径,因而减少所述芯片承座及电极的表面氧化现象。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 构造 及其 承载 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管封装构造,其特征在于:一承载件,所述承载件包括:一导线架,具有一第一部分以及至少一第二部分,所述第一部分与第二部分之间通过一间隙形成分离,所述第二部分具有一电性连接部位及一凹陷结构;及一绝缘胶体形成一容置空间,所述容置空间内具有一底部边缘重迭所述凹陷结构,所述绝缘胶体包覆部分所述导线架,并且填充至所述间隙及凹陷结构中;一发光二极管芯片,位于所述第一部分;以及至少导线,其电性连接所述发光二极管芯片以及所述第二部分的电性连接部位;所述容置空间内具有至少一凹口,所述凹口对应所述凹陷结构,且所述凹口对应导线与第二部分电性连接的部位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610203583.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:智能水凝胶器件及其控制装置
- 下一篇:半导体元件及其制作方法