[发明专利]一种超导二阶梯度线圈及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610203621.9 申请日: 2016-04-01
公开(公告)号: CN105895294B 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 张树林;张朝祥;王永良;谢晓明 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01F6/06 分类号: H01F6/06;H01F41/04;G01R33/022
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 高园园
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种超导二阶梯度线圈及其制造方法,包括梯度线圈支架、接收线圈、中补偿线圈、上补偿线圈和双绞线;所述梯度线圈支架用于由下到上依次横向绕制接收线圈、中补偿线圈和上补偿线圈,以及纵向引出双绞线;接收线圈包括N匝直径为Dp的同向线圈;中补偿线圈包括单匝直径为(2N)1/2 Dp的线圈,且中补偿线圈与接收线圈的绕制方向相反;上补偿线圈包括单匝直径为(N)1/2 Dp的线圈,且上补偿线圈与接收线圈的绕制方向相同;双绞线用于由下至上依次纵向连接各匝接收线圈、中补偿线圈和上补偿线圈,并由上补偿线圈向上引出。本发明的超导二阶梯度线圈及其制造方法在不影响信号磁通的前提下,有效降低了线圈的总体电感,提高了信号传输效率,同时简化了绕制工艺。
搜索关键词: 一种 超导 阶梯 线圈 及其 制造 方法
【主权项】:
一种超导二阶梯度线圈,其特征在于:包括梯度线圈支架、接收线圈、中补偿线圈、上补偿线圈和双绞线;所述梯度线圈支架用于由下到上依次横向绕制接收线圈、中补偿线圈和上补偿线圈,以及纵向引出双绞线;所述接收线圈包括N匝直径为Dp的线圈,各匝线圈同向绕制,相邻线圈间通过垂直于所述接收线圈表面的双绞线连接;所述中补偿线圈包括单匝直径为(2N)1/2Dp的线圈,与所述接收线圈的最后一匝通过垂直于所述接收线圈表面的双绞线连接,且所述中补偿线圈与所述接收线圈的绕制方向相反;所述上补偿线圈包括单匝直径为(N)1/2Dp的线圈,与所述中补偿线圈通过垂直于所述中补偿线圈表面的双绞线连接,且所述上补偿线圈与所述接收线圈的绕制方向相同;所述双绞线用于由下至上依次纵向连接各匝接收线圈、中补偿线圈和上补偿线圈,并由所述上补偿线圈向上引出。
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