[发明专利]金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法有效
申请号: | 201610204642.2 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105762085B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 张江华 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人: | 周彩钧 |
地址: | 214434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法,所述结构包括表面声滤波芯片晶圆(1),所述表面声滤波芯片晶圆(1)表面设置有第一绝缘层(2),所述第一绝缘层(2)上设置有贴合晶圆(4),所述贴合晶圆(4)与表面声滤波芯片晶圆(1)之间形成空腔(5),所述贴合晶圆(4)上设置有开孔(6),所述贴合晶圆(4)表面设置有第二绝缘层(7),所述开孔(6)内填充有导电胶或电镀金属(8),所述导电胶或电镀金属(8)的表面设置有第二金属层(9),所述第二金属层(9)上设置有金属球(10)。本发明一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法,它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件,并且具有更低的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 金属 圆片埋 孔型 表面 滤波 芯片 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构,其特征在于:它包括表面声滤波芯片晶圆(1),所述表面声滤波芯片晶圆(1)表面包括电极区域(1.1)和感应区域(1.2),所述表面声滤波芯片晶圆(1)除电极区域(1.1)和感应区域(1.2)外的区域设置有第一绝缘层(2),所述第一绝缘层(2)上设置有贴合晶圆(4),所述贴合晶圆(4)与感应区域(1.2)之间形成空腔(5),所述贴合晶圆(4)在电极区域(1.1)位置处设置有开孔(6),所述贴合晶圆(4)表面设置有第二绝缘层(7),所述开孔(6)内填充有导电胶或电镀金属(8),所述导电胶或电镀金属(8)的表面设置有第二金属层(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏长电科技股份有限公司,未经江苏长电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610204642.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造