[发明专利]金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法

摘要

本发明涉及金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层；步骤三、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合；步骤四、制备第二绝缘层；步骤五、电镀第一金属层；步骤六、制备第三绝缘层；步骤七、植球；步骤八、切割。本发明金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

主权项

1.金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；步骤三、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆后续电极区域上方位的置进行全蚀刻，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶贴合在第一绝缘层上，从而在芯片感应区域上方形成空腔，在电极区域上方形成第一开孔；步骤四、制备第二绝缘层用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；步骤五、电镀第一金属层在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；步骤六、制备第三绝缘层用涂胶工艺在第一金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；步骤七、植球在植球位置进行植球；步骤八、切割切割分成单颗产品；所述第一绝缘层采用B‑stage胶，可不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合。