[发明专利]一种防止钽电容器阳极晶化的赋能工艺在审

专利信息
申请号: 201610205858.0 申请日: 2016-04-05
公开(公告)号: CN105810459A 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 卢云;宫岩坤;冯孟杰;沈逸欣 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01G13/00 分类号: H01G13/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 裴娜
地址: 610054 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出了一种防止钽电容器阳极晶化的赋能工艺,高压大容量阳极钽芯片在赋能过程中,由于大电流和高电场的作用下,容易出现“热致晶化”和“场致晶化”现象,从而使钽芯片由于“晶化”导致击穿损坏,本发明采用电压分级赋能与不同体系的赋能液相配合,可有效防止阳极“晶化”现象的发生。尤其是在磷酸水溶液中对电压进行分段赋能,然后再在磷酸‑‑‑乙二醇‑‑‑H2O溶液中进行精细化赋能,可有效防止电子雪崩击穿,稳定氧化膜质量,降低漏电流,同时,在磷酸‑‑‑H2O溶液与磷酸‑‑‑乙二醇‑‑‑H2O溶液中添加有机高分子材料,更可提高闪火电压,降低漏电流和损耗。
搜索关键词: 一种 防止 钽电容 阳极 工艺
【主权项】:
一种防止钽电容器阳极晶化的赋能工艺,其特征在于,在赋能液中添加有机高分子物质的同时,采用组合式赋能工艺,首先在磷酸‑‑‑H2O溶液中对电压进行分段赋能,然后进行热处理,再在磷酸‑‑‑乙二醇‑‑‑H2O溶液中进行精细化赋能,最后再进行热处理。
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