[发明专利]一种阵列基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610206328.8 申请日: 2016-04-05
公开(公告)号: CN105870055A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 杜振源;吴振中;张家铭 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种阵列基板的制造方法,包括:形成一第一金属层于一基板的上方,该第一金属层包括一栅极;形成一图案化的栅极绝缘层于基板的上方以覆盖第一金属层,并形成一金属氧化物层于栅极绝缘层的上方;形成一第二金属层于栅极绝缘层的上方,该第二金属层包括一漏极和一源极,该金属氧化物层位于漏极与源极之间;形成一钝化层于栅极绝缘层及第二金属层的上方;以及形成一透明导电层于钝化层的上方。相比于现有技术,本发明将诸如氧化铟镓锌的金属氧化物层作为硬掩膜层,可透过硬掩膜层来形成具有陡峭状图案边缘的钝化层,进而改善L0漏光情形,并且提升入射光的穿透率。
搜索关键词: 一种 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:形成一第一金属层于一基板的上方,所述第一金属层包括一栅极;形成一图案化的栅极绝缘层于所述基板的上方以覆盖所述第一金属层,并形成一金属氧化物层于所述栅极绝缘层的上方,所述金属氧化物层与所述栅极正对设置;形成一第二金属层于所述栅极绝缘层的上方,其中所述第二金属层包括一漏极和一源极,所述金属氧化物层位于所述漏极与所述源极之间作为一主动层;形成一钝化层于所述栅极绝缘层及所述第二金属层的上方;以及形成一透明导电层于所述钝化层的上方。
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