[发明专利]具有接触塞的半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201610206422.3 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN106067464B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 尹彰燮;金盛民;赵治元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/11;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括第一鳍有源区、基本上与第一鳍有源区平行的第二鳍有源区、位于第一鳍有源区中的第一源/漏区、位于第二鳍有源区中的第二源/漏区、位于第一源/漏区上的第一接触塞以及位于第二源/漏区上的第二接触塞。第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍有源区；第二鳍有源区，基本上与第一鳍有源区平行；第一源/漏区，位于第一鳍有源区中；第二源/漏区，位于第二鳍有源区中；第一接触塞，位于第一源/漏区上；以及第二接触塞，位于第二源/漏区上，其中，第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
