[发明专利]一种抗单粒子效应的逻辑电平转换器

摘要

本发明公开一种抗单粒子效应的逻辑电平转换器，其包括反相单元、电平转换单元和抗单粒子效应单元，反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；电平转换单元包括第一电平转换电路和第二电平转换电路，第一和第二电平转换电路分别连接反相单元的信号输入端和信号输出端，并分别具有信号输出端。抗单粒子效应单元的输入端连接电平转换单元的信号输出端，并根据输入的信号值改变或保持输出信号。在应用时，电平转换单元与抗单粒子效应单元组成冗余电路，电平转换单元的两路输出信号值相同时，抗单粒子效应单元的输出即确定；否则保持前一次输出的值，即达到抗单粒子效应的目的。

主权项

一种抗单粒子效应的逻辑电平转换器，其特征是，包括反相单元、电平转换单元和抗单粒子效应单元，其中：反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；电平转换单元包括第一电平转换电路和第二电平转换电路，第一电平转换电路和第二电平转换电路分别均包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，第一PMOS管的源极连接电源，漏极连接第一NMOS管的漏极，同时连接第二PMOS管的栅极，作为第一电平转换单元和第二电平转换单元的输出端；第一NMOS管的源极接地；第二PMOS管的源极连接电源，漏极连接第二NMOS管的漏极，以及第一PMOS管的栅极；第二NMOS管的源极接地；第一NMOS管的栅极连接反相单元的信号输入端，第二NMOS管的栅极连接反相单元的信号输出端； 抗单粒子效应单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；第三PMOS管的源极连接电源，漏极连接第四PMOS管的源极，第四PMOS管的漏极连接第三NMOS管的漏极，并作为抗单粒子效应单元的输出端；第三NMOS管的源极连接第四NMOS管的漏极，第四NMOS管的源极接地；第三PMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极相连，同时连接第一电平转换单元的输出端；第四PMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连，同时连接第二电平转换单元的输出端。