[发明专利]半导体器件以及制造该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610207159.X | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN106057774B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李昇映;白尚训;都桢湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基板；栅电极，位于基板上；绝缘层，位于栅电极上；第一下通孔和第二下通孔，位于绝缘层中；第一下金属线和第二下金属线，设置在绝缘层上并且分别连接到第一下通孔和第二下通孔；第一上金属线和第二上金属线，设置在第一下金属线和第二下金属线上并且分别连接到第一下金属线和第二下金属线。当在平面图中观察时，第一下通孔与第二上金属线叠置，并且第二下通孔与第一上金属线叠置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板；栅电极，与基板的有源图案交叉；层间绝缘层，覆盖有源图案和栅电极；第一下通孔，设置在层间绝缘层中并且电连接到有源图案；第二下通孔，设置在层间绝缘层中并且电连接到栅电极；第一下金属线，设置在层间绝缘层上，第一下金属线在第一方向上延伸并且直接接触第一下通孔；第二下金属线，设置在层间绝缘层上，第二下金属线在第一方向上延伸并且直接接触第二下通孔；第一上金属线，设置在第一下金属线和第二下金属线上，第一上金属线在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且电连接到第一下金属线；第二上金属线，设置在第一下金属线和第二下金属线上，第二上金属线在第二方向上延伸并且电连接到第二下金属线，其中，当在平面图中观察时，第一下通孔与第二上金属线叠置，并且第二下通孔与第一上金属线叠置。
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