[发明专利]高速接口保护装置

摘要

本发明涉及高速接口保护装置。公开的技术涉及电子器件，更特别地涉及保护电路免受诸如电过应力/静电放电的暂态电事件破坏的保护器件。保护器件包括半导体衬底，该半导体衬底中形成有至少两个阱以及在至少两个阱下面且接触至少两个阱的深阱。器件另外包括形成在至少两个阱中的一个阱中且具有第一导电类型的第一重掺杂区域和第二导电类型的第一重掺杂区域的第一PN二极管，并且包括第二PN二极管，该第二PN二极管形成在至少两个阱中的一个阱中并且具有第一导电类型的第二重掺杂区域和第二导电类型的第二重掺杂区域。

主权项

1.集成电路器件，包括：半导体衬底，其中形成有至少两个阱和在所述至少两个阱下面且接触所述至少两个阱的深阱；第一PN二极管，形成在所述至少两个阱中的一个中且包括第一导电类型的第一重掺杂区域以及第二导电类型的第二重掺杂区域；第二PN二极管，形成在所述至少两个阱中的另一个中且包括所述第一导电类型的第三重掺杂区域以及所述第二导电类型的第四重掺杂区域，其中所述第一PN二极管和所述第二PN二极管通过电短接结构电短接而形成具有阈值电压的第一串联连接的二极管；以及PNPN硅控整流器SCR，具有触发电压且包括所述第一导电类型的所述第一重掺杂区域、所述至少两个阱、所述深阱以及所述第二导电类型的所述第四重掺杂区域。