[发明专利]集成电路中的单元布局有效
申请号: | 201610207915.9 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN106055726B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 杨任航 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 白华胜;王蕊 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种集成电路中的单元布局。根据本发明的集成电路中的单元布局,此单元布局含有第一单元,其包含了多条沿着第一方向延伸的第一多晶硅线,其中该多条第一多晶硅线具有一致的第一多晶硅节距与第一多晶硅宽度,此外还含有第二单元,其包含了多条沿着第一方向延伸的第二多晶硅线,其中多条第二多晶硅线具有一致的第二多晶硅节距与第二多晶硅宽度,第二多晶硅节距小于第一多晶硅节距,另包含与第一单元邻接的边界单元,边界单元含有沿着该第一方向延伸的n条第一虚设多晶硅线和m条第二虚设多晶硅线。本发明提供的集成电路中的单元布局能增加最终所制成组件对于工艺变异与关键尺寸误差的余裕度。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 中的 单元 布局 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包含:第一单元,包含多条沿着第一方向延伸的第一多晶硅线,其中该多条第一多晶硅线具有一致的第一多晶硅节距与一致的第一多晶硅线宽度;与该第一单元分隔的第二单元,包含多条沿着该第一方向延伸的第二多晶硅线,其中该多条第二多晶硅线具有一致的第二多晶硅节距与一致的第二多晶硅线宽度,其中该第二多晶硅节距小于该第一多晶硅节距;以及边界单元,与该第一单元邻接,该边界单元包含沿着该第一方向延伸的n条第一虚设多晶硅线以及m条第二虚设多晶硅线,其中该n条第一虚设多晶硅线具有该一致的第一多晶硅节距,该m条第二虚设多晶硅线具有该一致的第二多晶硅节距,该n与该m皆为大于或等于2的整数。
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