[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基底，包括衬底以及位于衬底上的鳍部；在鳍部之间的衬底上形成隔离结构，露出于隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域，剩余未露出部分作为鳍部第二区域；形成覆盖鳍部第一区域顶部和侧壁的栅极结构；在鳍部第二区域内形成缓冲掺杂离子区；在鳍部第一区域内形成浅掺杂离子区，且与缓冲掺杂离子区的离子类型相同；通过重掺杂工艺在栅极结构两侧鳍部内形成源区或漏区，重掺杂工艺的离子剂量大于缓冲离子掺杂工艺的离子剂量。本发明通过形成离子浓度介于源区或漏区和衬底之间的缓冲掺杂离子区，从而降低源区或漏区与衬底的浓度梯度，形成缓变结，进而降低器件源区或漏区与衬底之间的结漏电流。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部；在所述鳍部之间的衬底上形成隔离结构，其中露出于所述隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域，剩余的未露出部分作为鳍部第二区域；形成横跨所述鳍部表面的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部第一区域的顶部和侧壁；以所述栅极结构为掩膜，对所述鳍部第二区域进行缓冲离子掺杂工艺，形成缓冲掺杂离子区；形成所述缓冲掺杂离子区后，对所述鳍部第一区域进行浅掺杂工艺，形成浅掺杂离子区，且所述浅掺杂离子区的离子类型与所述缓冲掺杂离子区的离子类型相同；形成所述浅掺杂离子区后，通过重掺杂工艺在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源区或漏区，其中所述重掺杂工艺注入的离子剂量大于所述缓冲离子掺杂工艺注入的离子剂量。