[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种蚀刻方法，其是对第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜。在一实施方式的方法中，在等离子体处理装置的处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气的第1处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体的第2处理气体的等离子体。接着，在处理容器内生成包括氧气的第3处理气体的等离子体。

主权项

1.一种蚀刻方法，其是对被处理体的第1区域及第2区域同时进行蚀刻的方法，其中，该第1区域具有通过交替层叠氧化硅膜及氮化硅膜而构成的多层膜，该第2区域包括膜厚比第1区域的氧化硅膜的膜厚厚的氧化硅膜，该被处理体具有在该第1区域及该第2区域上提供开口的掩模，该蚀刻方法包括以下工序：在准备了所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第1处理气体的等离子体的工序，所述第1处理气体包括氟碳气体、氢氟烃气体及氧气；在所述等离子体处理装置的处理容器内生成第2处理气体的等离子体的工序，所述第2处理气体包括氟碳气体、氢氟烃气体、氧气及含卤素气体，所述含卤素气体是用于形成卤元素和硅的反应生成物而在被处理体的表面形成堆积物的气体；在所述等离子体处理装置的处理容器内生成第3处理气体的等离子体的工序，所述第3处理气体包括氧气，在该蚀刻方法中执行多次序列，该序列包括所述生成第1处理气体的等离子体的工序、所述生成第2处理气体的等离子体的工序及所述生成第3处理气体的等离子体的工序。