[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610208262.6 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106409781B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 本间庄一;高野勇佑 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供能够提高导电性屏蔽层与密封树脂层的密接性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：配线衬底，具有包含第1面与第2面的基体及接地配线；半导体芯片，搭载在第1面上；外部连接端子，设置在第2面上，且包含与接地配线电性连接的接地端子；密封树脂层，将半导体芯片密封；金属化合物层，接触于密封树脂层的表面，且包含金属氮化物；以及导电性屏蔽层，以隔着金属化合物层而覆盖密封树脂层的方式设置。接地配线在配线衬底的侧面露出，且与导电性屏蔽层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：配线衬底，具有包含第1面与第2面的基体及接地配线；半导体芯片，搭载在所述第1面上；外部连接端子，设置在所述第2面上，且包含与所述接地配线电性连接的接地端子；密封树脂层，将所述半导体芯片密封；金属化合物层，具有：第1金属化合物部，接触于所述密封树脂层的表面，且包含金属碳化物；以及第2金属化合物部，设置在所述第1金属化合物部上，且包含金属氮化物；以及导电性屏蔽层，以隔着所述金属化合物层而覆盖所述密封树脂层的方式设置；所述接地配线在所述配线衬底的侧面露出，且与所述导电性屏蔽层电性连接。
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