[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610208276.8 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106067429B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 田中润;志摩真也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明关于半导体装置的制造装置及制造方法。本实施方式的半导体装置的制造装置具有：平台，保持与具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体晶片的所述第二面附着的带；真空机构，吸附在附着设置在所述第一面的衬底的上方；驱动部，将所述真空机构向远离所述衬底的方向驱动；以及冷却部，能够冷却所述带。另外，本实施方式的半导体装置的制造方法包括：对具有第一面及与所述第一面对向的第二面的半导体晶片，将衬底粘贴在所述第一面的步骤；贯通所述半导体晶片，在所述第二面形成具有凸部的接点的步骤；将带贴附在所述第二面的步骤；以及通过使所述带的弹性模数增加，并拉开所述半导体晶片与所述衬底的距离，而将所述衬底剥离的剥离步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：对具有第一面及与所述第一面对向的第二面的半导体晶片，隔著粘着剂层将衬底粘贴在所述第一面的步骤；贯通所述半导体晶片，在所述第二面形成具有凸部的接点的步骤；将带贴附在所述第二面的步骤，所述带具有大于所述半导体晶片的膜厚与所述粘着剂层的膜厚的和的膜厚；使所述带的弹性模数增加的步骤；以及从所述半导体晶片将所述衬底剥离的剥离步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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