[发明专利]用于监测燃气火焰温度的紫外探测器芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于监测燃气火焰温度的紫外探测器芯片及其制备方法。其目的是为了提供一种设计巧妙、监测准确的紫外探测器芯片及其制备方法。本发明包括采用光刻和ICP技术对探测器外延片进行刻蚀，并结合标准半导体微加工工艺在外延片上制作第一PIN二极管和第二PIN二极管，第一PIN二极管为具有滤波结构的PIN二极管，第二PIN二极管为普通PIN二极管，能分别探测不同波段的信号，通过一个紫外探测器芯片从而实现对两个特定目标波段的同时探测，特别是将该紫外探测器芯片应用到燃气燃烧设备的火焰温度探测中，可以通过第一PIN二极管与第二PIN二极管输出的光电流比获得燃气火焰的温度信息，从而实现对相关燃气燃烧参数的监控。

主权项

一种用于监测燃气火焰温度的紫外探测器芯片，其特征在于：包括衬底(101)、多个第一PIN二极管(Diode1)和多个第二PIN二极管(Diode2)，衬底(101)顶端并列设置多个第一PIN二极管(Diode1)和第二PIN二极管(Diode2)，所述第一PIN二极管(Diode1)又包括缓冲层(102)、n型半导体材料层(103)、i型光吸收层(104)、p型半导体材料层(105)和p型滤波层(106)，缓冲层(102)设置在衬底(101)顶端，缓冲层(102)顶端设置有n型半导体材料层(103)，n型半导体材料层(103)顶端的一侧设置有i型光吸收层(104)，n型半导体材料层(103)顶端的另一侧设置有n型欧姆接触电极(107)，i型光吸收层(104)顶端设置有p型半导体材料层(105)，p型半导体材料层(105)顶端设置有p型滤波层(106)，p型滤波层(106)顶端设置有p型欧姆接触电极(108)；所述第二PIN二极管(Diode2)又包括缓冲层(102)、n型半导体材料层(103)、i型光吸收层(104)和p型半导体材料层(105)，缓冲层(102)设置在衬底(101)顶端，缓冲层(102)顶端设置有n型半导体材料层(103)，n型半导体材料层(103)顶端的一侧设置有i型光吸收层(104)，n型半导体材料层(103)顶端的另一侧设置有n型欧姆接触电极(107)，i型光吸收层(104)顶端设置有p型半导体材料层(105)，p型半导体材料层(105)顶端设置有p型欧姆接触电极(108)。