[发明专利]非平面锗量子阱装置在审
| 申请号： | 201610209964.6 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105870168A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | R.皮拉里塞蒂;J.T.卡瓦列罗斯;W.雷奇马迪;U.沙;B.楚-孔;M.拉多沙夫耶维奇;N.穆克赫吉;G.德维;B.Y.金;R.S.乔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/267;H01L29/775;H01L29/778;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336;B82Y10/00;H01L29/165;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;付曼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III‑V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III‑V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 量子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：未掺杂锗鳍，其中所述鳍具有顶部部分和相对的侧壁部分；与所述鳍接触的半导体材料的顶部势垒层，其中所述顶部势垒层覆盖所述鳍的所述顶部部分和所述侧壁部分；以及跨所述顶部势垒层的至少一部分的栅结构，所述栅结构包括栅电介质和栅金属。
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