[发明专利]利用物理方法制备纳米肖特基结构的工艺有效
申请号: | 201610210210.2 | 申请日: | 2016-04-07 |
公开(公告)号: | CN105845567B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 郭二娟;龙啸;石晓波;曾志刚 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用物理方法制备纳米肖特基结构的工艺,基于煮沸胶体微滴的技术制备分散均匀,尺寸一致的纳米肖特基结的新方法。发明选择合适的基底,通过煮沸胶体溶液来制备纳米肖特基结。在制备过程中,不但可以选择不同材料的胶体溶液,同种材料还可以选择不同浓度和不同尺寸的胶体溶液。本发明方法与现有技术的其他制备纳米肖特基结构的方法相比更能得到尺寸一致、分散均匀的纳米颗粒,而且操作简单易行。此方法可控性好,重复性高,因此可以制备丰富的纳米结构材料。 | ||
搜索关键词: | 利用 物理 方法 制备 纳米 肖特基 结构 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种利用物理方法制备纳米肖特基结构的工艺,其特征在于,包括如下步骤:a.基底的选择与预处理:根据制备微型器件的纳米肖特基结构的要求,选择基底,然后对基底进行清洗,得到干燥洁净的基底,备用;b.金属胶体溶液的制备:选择纳米金属颗粒的浓度为2.0×1011~500×1011particles/ml且纳米金属颗粒的粒度为3~30nm的纳米金属颗粒胶体溶液,采用稀释剂,按照纳米金属颗粒胶体溶液和稀释剂的体积混合比例为1:(3~10)的比例,对纳米金属颗粒胶体溶液进行稀释,得到纳米金属颗粒胶体稀释溶液;c.制备纳米肖特基结构:在基底上沉积厚度为3~30nm的纳米金属功能层,采用直接煮沸沉积的方法,移出在所述步骤b中制备的纳米金属颗粒胶体稀释溶液,然后将纳米金属颗粒胶体稀释溶液滴加到经所述步骤a预处理的基底上形成纳米金属颗粒溶液的液膜,对基底上的液膜进行加热,使液膜被煮沸,最终在基底上沉积纳米金属功能层;或者采用间接煮沸沉积的方法,在经所述步骤a预处理的基底旁边放置一个金属片,移出在所述步骤b中制备的纳米金属颗粒胶体稀释溶液,然后将纳米金属颗粒胶体稀释溶液滴加到金属片上,然后通过加热金属片,使得金属片上的纳米金属颗粒胶体稀释溶液煮沸后溅射到旁边的基底上,进而将纳米金属胶体颗粒沉积在基底上,最终在基底上沉积纳米金属功能层;d.后处理:将在所述步骤c中制备的纳米金属功能层进行热处理,使基底和纳米金属功能层结合形成纳米肖特基结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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