[发明专利]场效应晶体管以及制备方法在审
| 申请号： | 201610210348.2 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN105789323A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 卢琪;伍晓明;吴华强;张进宇;余志平;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了场效应晶体管以及制备方法。该场效应晶体管包括：衬底；栅极，所述栅极嵌在所述衬底中；异质结，所述异质结设置在所述衬底的上表面，所述异质结包括单层石墨烯以及层状材料；源极，所述源极设置在所述异质结的上表面；以及漏极，所述漏极设置在所述异质结的上表面。利用单层石墨烯以及层状材料形成异质结以调节沟道材料禁带宽度，从而可以提高该场效应晶体管的开关比；嵌在衬底中的栅极结构有利于保护单层石墨烯结构不在制备栅极的过程中被破坏，从而可以提高该场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极，所述栅极嵌在所述衬底中；异质结，所述异质结设置在所述衬底的上表面，所述异质结包括单层石墨烯以及层状材料；源极，所述源极设置在所述异质结的上表面；以及漏极，所述漏极设置在所述异质结的上表面。
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