[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：形成覆盖第一栅极结构表面、第二栅极结构表面、鳍部表面以及隔离层表面的掩膜层；回刻蚀所述掩膜层，形成覆盖第一区域鳍部侧壁表面以及第二区域鳍部侧壁表面的掩膜侧墙；刻蚀去除位于第一栅极结构两侧的第一区域的部分厚度鳍部，在所述第一区域形成第一凹槽，同时还刻蚀去除位于第二栅极结构两侧的第二区域的部分厚度鳍部，在所述第二区域形成第二凹槽；形成填充满第一凹槽以及第二凹槽的本征层；对所述第一凹槽的本征层进行第一掺杂处理，形成第一源漏区；对所述第二凹槽的本征层进行第二掺杂处理，形成第二源漏区。本发明简化了工艺步骤，且还提高沟道区载流子迁移率，从而提高形成的鳍式场效应管的性能。

主权项

一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部，所述衬底表面还形成有覆盖鳍部侧壁表面的隔离层，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部，所述第一区域隔离层表面形成有横跨所述第一区域鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构覆盖第一区域鳍部的部分顶部和侧壁表面，所述第二区域隔离层表面形成有横跨所述第二区域鳍部的第二栅极结构，所述第二栅极结构覆盖第二区域鳍部的部分顶部和侧壁表面；形成覆盖所述第一栅极结构表面、第二栅极结构表面、鳍部表面以及隔离层表面的掩膜层；回刻蚀所述掩膜层，形成覆盖所述第一栅极结构侧壁表面、第二栅极结构侧壁表面的掩膜侧墙，所述掩膜侧墙还覆盖第一区域鳍部侧壁表面以及第二区域鳍部侧壁表面；刻蚀去除位于第一栅极结构两侧的第一区域的部分厚度鳍部，在所述第一区域形成第一凹槽，同时还刻蚀去除位于第二栅极结构两侧的第二区域的部分厚度鳍部，在所述第二区域形成第二凹槽；形成填充满所述第一凹槽以及第二凹槽的本征层，所述本征层顶部高于位于鳍部侧壁的掩膜侧墙顶部；对所述第一凹槽的本征层进行第一掺杂处理，形成第一源漏区；对所述第二凹槽的本征层进行第二掺杂处理，形成第二源漏区。