[发明专利]可照射出特定平面几何图形光斑LED芯片的制备方法及结构

摘要

本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。

主权项

一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：（1）、提供衬底，在所述衬底上形成LED薄膜，包括缓冲层、n型层、发光层和p型层；（2）、在所述的LED薄膜上依次形成互补电极层、反射金属接触层、粘结保护层；（3）、提供支撑基板，在所述支撑基板的正面依次形成基板正面保护层、键合层，在所述支撑基板的反面依次形成基板反面保护层、接触层；（4）、采用晶圆热压键合方法，通过键合层和粘结保护层将所述LED薄膜与基板绑定在一起；（5）、去除所述衬底；（6）、制成垂直结构的LED芯片，包括n型层表面粗化、去边形成切割道、钝化、n电极；所述n电极的形状与互补电极层的形状形成互补的平面几何图形结构，n电极和互补电极层所对应的芯片区域发光亮度低，无互补电极层所对应的芯片区域发光亮度高，反射金属接触层的材料与LED薄膜之间的接触电阻较低，且具有高反射率，粘结保护层的材料与LED薄膜之间的接触电阻很高，且具有较低反射率。