[发明专利]一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法在审
| 申请号： | 201610211309.4 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN105837201A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;孟鹏飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/64 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 刘立春 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝晶体Al(NO3)3·9H2O、硝酸镓Ga(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。其有益效果是：本发明通过严格改变烧制工艺流程和控制工艺参数，可以人为地控制该材料在制备过程中的结构成分和结构变化，在降低晶粒电阻率和降低ZnO压敏电阻残压的同时，又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 zno 晶粒 压压 电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝晶体Al(NO3)3·9H2O、硝酸镓Ga(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。
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