[发明专利]一种深层杂质元素的探测方法在审
| 申请号： | 201610212541.X | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105870029A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 袁立军;赖朝荣;苏俊铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/62 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种深层杂质元素的探测方法，包括：步骤S1：提供具有功能膜层之待探测晶圆；步骤S2：通过二次离子质谱仪表征待探测晶圆之杂质元素的深度；步骤S3：减薄功能膜层，直至杂质元素所在深度与待探测晶圆之表面的距离属于电感耦合等离子质谱仪的可探测深度范围；步骤S4：通过电感耦合等离子质谱仪探测杂质元素的含量。本发明首先通过二次离子质谱仪表征待探测晶圆之杂质元素的深度，然后减薄功能膜层厚度，直至杂质元素所在深度与功能膜层减薄后之待探测晶圆表面的距离属于电感耦合等离子质谱仪的可探测深度范围，最后通过电感耦合等离子质谱仪探测杂质元素的含量，不仅在取样过程中采样锥不会堵塞，而且探测结果准确可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深层 杂质 元素 探测 方法 | ||
【主权项】：
一种深层杂质元素的探测方法，其特征在于，所述深层杂质元素的探测方法，包括：执行步骤S1：提供具有功能膜层之待探测晶圆；执行步骤S2：通过二次离子质谱仪表征待探测晶圆之杂质元素的深度；执行步骤S3：减薄待探测晶圆之功能膜层，直至杂质元素所在深度与待探测晶圆之表面的距离属于电感耦合等离子质谱仪的可探测深度范围；执行步骤S4：通过电感耦合等离子质谱仪探测杂质元素的含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
