[发明专利]利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法有效
| 申请号： | 201610212558.5 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105652586B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张月雨;倪晟;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法，包括：按照光刻胶边界到光刻胶打开区域内的前层有源区层和多晶硅层的距离，将离子注入层版图图形边界进行分类，其中将所述距离小于或等于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第一类别，将所述距离大于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第二类别；对第二类别的离子注入层版图图形边界添加第二尺寸的辅助图形，所述第二尺寸的辅助图形会在硅片上曝出图形；对第一类别的离子注入层版图图形边界添加第一尺寸的辅助图形，其中所述第一尺寸的辅助图形不会在硅片上曝出图形。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 曝光 辅助 图形 减少 基底 反射 影响 方法 | ||
【主权项】：
1.利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法，其特征在于，包括：第一步骤：按照光刻胶边界到光刻胶打开区域内的前层有源区层和多晶硅层的距离，将离子注入层版图图形边界进行分类，其中将所述距离小于或等于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第一类别，将所述距离大于距离阈值的离子注入层版图图形边界归为第二类别，其中所述距离阈值取值介于200nm～600nm；第二步骤：对第二类别的离子注入层版图图形边界添加第二尺寸的辅助图形，所述第二尺寸的辅助图形会在硅片上曝出图形；第三步骤：对第一类别的离子注入层版图图形边界添加第一尺寸的辅助图形，其中所述第一尺寸的辅助图形不会在硅片上曝出图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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