[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管基板的方法有效
| 申请号： | 201610213008.5 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN106400016B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 安守民;金荣俊;朴弘植;鞠仁说;朴英哲;刘仁浩;李承洙;李钟文;林大成 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种蚀刻剂组合物，基于所述蚀刻剂的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：约0.5wt％至约20wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约2wt％的含氟化合物、约1wt％至约10wt％的无机酸、约0.5wt％至约5wt％的环胺化合物、约0.1wt％至约5wt％的含氯化合物、约0.1wt％至约10wt％的脂族磺酸、约1wt％至约20wt％的有机酸或有机酸盐、和水。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 使用 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻剂组合物，包含：0.5wt％至20wt％的过硫酸盐，0.01wt％至2wt％的含氟化合物，1wt％至10wt％的无机酸，0.5wt％至5wt％的环胺化合物，0.1wt％至5wt％的含氯化合物，0.1wt％至10wt％的脂族磺酸，1wt％至20wt％的有机酸或有机酸盐，和水，其中所述wt％为基于所述蚀刻剂组合物的总重量的重量百分比。
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