[发明专利]白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm。这种白光量子点薄膜电致发光器件，采用厚度为2nm～8nm的红绿混合量子点发光层，从而使得红绿混合量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过红绿混合量子点发光层而不在红绿混合量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，在蓝光有机发光层的位置形成激子发蓝光，并且激子可以通过能量传递的方式再到达红绿混合量子点发光层上使其发光，这种白光量子点薄膜电致发光器件的发光性能较好。

主权项

1.一种白光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红绿混合量子点发光层、蓝光有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述红绿混合量子点发光层的材料为质量比为4：1～5：1的红光量子点和绿光量子点的混合物，所述红绿混合量子点发光层的厚度为2nm～8nm；所述红光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点或核壳结构的CdSe@CdS红光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述核壳结构的CdSe@CdS红光量子点的粒径为10nm～15nm，所述绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“CdSe@CdS”为CdS包覆CdSe；所述蓝光有机发光层的材料为蓝光有机发光材料。