[发明专利]抑制InAs量子点中In偏析的生长方法在审
| 申请号： | 201610213336.5 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105869993A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 乔良 | 申请（专利权）人： | 华北科技学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭英强;郑泽萍 |
| 地址： | 065201 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了抑制InAs量子点中In偏析的生长方法，包括步骤：A、在衬底上生长缓冲层；B、在缓冲层上生长InAs量子点层；C、在InAs量子点层上预沉积In原子层；D、在In原子层上生长AlAs层；E、在AlAs层上生长GaAs盖层。本发明通过预沉积In原子层后，可以很好地抑制InAs量子点层中In原子的偏析，从而抑制In原子的偏析带来的波长蓝移，即相对于现有技术，可使得响应波长红移，向通信领域使用的1.3μm波长靠近，能很好地应用于1.3~1.5μm波长的通信领域中，而且PL的强度有了明显提高、半波峰更窄，发光特性更好，可广泛应用于InAs量子点生长领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 inas 量子 in 偏析 生长 方法 | ||
【主权项】：
抑制InAs量子点中In偏析的生长方法，其特征在于，包括步骤：A、在衬底上生长缓冲层；B、在缓冲层上生长InAs量子点层；C、在InAs量子点层上预沉积In原子层；D、在In原子层上生长AlAs层；E、在AlAs层上生长GaAs盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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