[发明专利]低比导的新型高压SJ功率器件

摘要

本发明涉及的低比导新型高压SJ功率器件属于功率半导体器件技术领域。本发明在横向SJ功率器件的N型漂移区中引入P型埋层，漏端引入N型缓冲层，在器件上表面引入双场板结构。P型埋层辅助耗尽N型漂移区，提高了漂移区的掺杂浓度，降低了器件的比导通电阻。漏端的N型缓冲层替代了漏端下的SJ结构，在一定程度上起到了削弱衬底辅助耗尽效应，同时可以辅助耗尽漂移区中未完全耗尽的P型埋层，使得超结几乎不参与纵向耐压，从而保证超结的电荷平衡。双场板结构就是含有两种场板的结构，分别是源终端和漏终端场板。场板可以和器件电极一起形成，无需其它工艺步骤。本发明在降低器件的比导通电阻的同时可有效改善体电场分布，提高器件的耐压。采用本发明可获得各种性能优良的横向低比导高耐压SJ功率器件。

主权项

低比导的新型高压SJ功率器件，其元胞结构包括P型衬底1、N型漂移区21，其特征在于：所述N型漂移区21包括P型体区31、SJ结构、N型缓冲层25和P型埋层34，P型体区31设置在N型漂移区21一端。