[发明专利]梵天花组织培养与快速繁殖的方法

摘要

本发明属于植物培养技术领域，涉及一种梵天花组织培养与快速繁殖的方法。包括梵天花的消毒、腋芽萌发不定芽的诱导、丛生芽的诱导、不定芽的增殖、再生植株的生根培养、炼苗移栽的步骤。本发明能够不受地桃花种子数量、萌发率和气候限制而快速地获得与母株相同性状的地桃花植株，利于产业化生产。

主权项

1.一种梵天花组织培养与快速繁殖的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)梵天花的消毒剪取当年抽出的、带叶的梵天花茎段，刷洗后剪去叶片，留若干叶柄，置于洗洁精溶液中搅拌后用流水冲洗0.5h以上，在无菌环境下依次转入到70％的酒精溶液和0.1％HgCl2溶液内浸泡消毒，即为消毒完成的茎段外植体，取出放入已灭菌的湿滤纸上待接种；(2)腋芽萌发不定芽的诱导用消毒后的刀具将上一步获得的茎段外植体两端各切除少量茎段，以正常的极性方向接种到1/2MS基本培养基中，接好外植体的培养基先置于黑暗中过夜，随后光照培养，培养条件为：培养温度为25±1℃，光照时间为14h光/10h暗，光照强度30-40μmol/m2·s，得腋芽萌发的不定芽；(3)丛生芽的诱导将上一步得到的腋芽萌发的不定芽切成带一叶的茎段，以正常的极性方向接种到1/2MS基本培养基中，接好外植体的培养基先置于黑暗中过夜，随后光照培养，培养条件为：培养温度为25±1℃，光照时间为14h光/10h暗，光照强度30-40μmol/m2·s，得不定芽丛；(4)不定芽的增殖将上一步诱导获得的不定芽丛从茎段中分离，然后切成2-3株不定芽的芽块，接种到1/2MS基本培养基中，接好外植体的培养基先置于黑暗中过夜，随后光照培养，培养条件为：培养温度为25±1℃，光照时间为14h光/10h暗，光照强度30-40μmol/m2·s；(5)再生植株的生根培养切取叶片嫩绿且2-3cm高的不定芽，插入到1/4MS基本培养基的生根培养基中，该生根培养基的大量元素含量为MS基本培养基的1/4，微量元素、铁盐、有机物质等含量均为MS基本培养基的1/2，而肌醇添加量为0mg/L，接好外植体的培养基先置于黑暗中过夜，随后光照培养，培养条件为：培养温度为(25±1)℃，光照时间为14h光/10h暗，光照强度30-40μmol/(m2·s)，得生根的组培苗；(6)炼苗移栽待生根的组培苗的苗高长至5cm以上，根长超过3cm时，将组培苗定植于混合基质中，浇透水并用透明的聚乙烯塑料薄膜覆盖以保温保湿，室内温度控制在15-25℃之间；3d后，揭开薄膜一角，让内外空气相通，适应1d后将薄膜全部揭开，于叶面喷雾以保持湿润，待新叶长出后移栽大田中继续种植，步骤(2)中的1/2MS基本培养基中添加了6-BA 2.0mg/L，IBA 0.2mg/L，AC 1.0g/L，步骤(3)中的1/2MS基本培养基中添加了ZT 0.2mg/L，6-BA 2.0mg/L，IBA 0.5mg/L，CH 0.5g/L，AC 0.5-1.0g/L，步骤(4)中的1/2MS基本培养基中添加了6-BA 1.0mg/L，IBA 0.5mg/L，CH0.5g/L，AC 0.5-1.0g/L，步骤(5)中的1/4MS基本培养基中添加了IBA 0.2mg/L，AC 0.5-1.0g/L，步骤(6)的混合基质中珍珠岩与泥炭的重量比为1：4，且所用基质均经高压湿热消毒。