[发明专利]阵列基板及制作方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及制作方法，该阵列基板包括：一玻璃基板；栅电极，其设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其沉积于该玻璃基板以及栅电极上；半导体层，其设置于该第一绝缘层上并位于栅电极上方；平坦层，其设置于第一绝缘层上；源极和漏极，该源极和漏极均设置于平坦层以及半导体层上；像素电极层，其设置于平坦层以及该漏极上；第二绝缘层，其设置于平坦层、半导体层、源极以及漏极上。本发明具有避免在开孔处形成气泡、提高开口率的有益效果，并且该平坦层还增大了源极、漏极与栅电极之间的距离，可以提高抗静电能力。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基板上设置栅电极；在玻璃基板以及栅电极上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积半导体层，该半导体层位于栅电极上方；在第一绝缘层上设置平坦层；在平坦层以及半导体层上设置源极；在平坦层以及半导体层上设置漏极；在平坦层以及该漏极上设置像素电极层；在平坦层、半导体层、源极以及漏极上沉积第二绝缘层；其中，所述漏极的远离源极一侧的侧壁面朝向源极的方向倾斜，该像素电极层将所述漏极的上端面以及该侧壁面覆盖。