[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610216608.7 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057775B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 大森和幸 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可以防止再配线之间的电短路。在铜再配线的各个侧表面上形成阻挡膜。阻挡膜包括例如锰氧化物膜。所述阻挡膜也与阻挡金属膜的各个端表面接触，所述阻挡金属膜的各个端表面位于从铜再配线的侧表面向内后退的位置。通过铜再配线、阻挡膜和阻挡金属膜形成再配线部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面；多层布线，所述多层布线包括分别形成在所述半导体衬底的所述主表面上方并且具有与所述主表面不同的高度的布线；钝化膜，所述钝化膜形成为覆盖所述多层布线中的设置在从所述主表面起最高位置的最上层布线，所述钝化膜具有与所述最上层布线连通的开口；再配线部，所述再配线部包括形成为与所述最上层布线的位于所述开口中的部分接触的再配线，所述再配线具有侧表面和上表面；焊盘部，所述焊盘部形成为与所述再配线的所述上表面接触；以及树脂膜，所述树脂膜形成为覆盖所述再配线部，其中，所述再配线部包括形成为与所述再配线的所述侧表面接触的阻挡膜，所述阻挡膜包含金属氧化物膜，并且其中，所述焊盘部包括由与用于所述阻挡膜的材料不同的材料制成的焊盘金属膜。
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