[发明专利]基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610216788.9 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105762197B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 郑仁奎;陈蕾;李效民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/24;H01L29/43;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用，所述半导体铁电场效应异质结构包括以铌镁酸铅钛酸铅铁电单晶作为衬底和以形成于所述衬底上的二氧化钛半导体薄膜作为沟道，所述二氧化钛半导体薄膜的化学通式为TiO2‑δ，其中0≤δ≤0.2，优选为0≤δ≤0.1。本发明以具有氧缺陷的纯相二氧化钛薄膜TiO2‑δ为沟道，相较于过渡金属离子掺杂的氧化物半导体薄膜有效地简化了制备过程与制备条件，同时避免了薄膜成分不均匀等不利因素，为铁电场效应异质结构的进一步应用节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌镁酸铅钛酸铅单晶 半导体 电场 效应 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构，其特征在于，所述半导体铁电场效应异质结构具有铁电场效应特征，包括以铌镁酸铅钛酸铅铁电单晶作为衬底和以形成于所述衬底上的二氧化钛半导体薄膜作为沟道，所述二氧化钛半导体薄膜的化学通式为TiO2‑δ，其中0 ≤δ≤0.2。
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