[发明专利]贯穿包括结构和制造方法的高效率晶体太阳能电池中的钝化电介质层的屏蔽电触点和掺杂有效
申请号: | 201610216873.5 | 申请日: | 2011-03-25 |
公开(公告)号: | CN105789337B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | D·克拉夫茨;O·舒尔茨-韦特曼 | 申请(专利权)人: | 泰特拉桑有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 舒雄文,蹇炜 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种太阳能电池结构和形成方法,其结合钝化电介质层利用表面纹理来提供形成贯穿所述钝化电介质层且在导电层与下方的衬底之间的电触点的实用和可控制的技术,实现了高效率太阳能电池所需的具有低复合损耗的良好表面钝化和电触点。有意地修改所述钝化电介质层以允许与所述衬底的直接接触或隧道势垒接触。公开了另外的P‑N结和掺杂梯度以进一步限制损耗并提高效率。 | ||
搜索关键词: | 贯穿 包括 结构 制造 方法 高效率 晶体 太阳能电池 中的 钝化 电介质 屏蔽 触点 掺杂 | ||
【主权项】:
一种用于形成太阳能电池结构的方法,包括:提供纹理衬底,所述纹理衬底包括具有尖峰的纹理结构;在所述纹理衬底之上提供钝化电介质层;在所述尖峰处形成屏蔽触点,所述形成包括从所述纹理衬底的所述尖峰之上至少部分优先减薄所述钝化电介质层,所述优先减薄包括:将电偏压引入到所述纹理衬底中,所述电偏压导致所述尖峰处优先增大的电场强度;朝向所述纹理衬底之上的所述钝化电介质层定向离子,其中所述尖峰处的所述增大的电场强度优先朝向所述尖峰定向所述离子,由此优先减薄所述尖峰之上的所述钝化电介质层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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