[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610216970.4 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107275393A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 高云斌;李诚瞻;赵艳黎;陈喜明;蒋华平;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 刘烽,桑胜梅 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件，其特征在于，在所述金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件的结型场效应晶体管区，沿垂直于沟道并平行于SiO2/SiC界面的方向上交替分布有p型掺杂区域和n型掺杂区域。本发明还涉及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管器件，其特征在于，在所述金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管器件的结型场效应晶体管区，沿垂直于沟道并平行于SiO2/SiC界面的方向上交替分布有p型掺杂区域和n型掺杂区域。
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