[发明专利]保护装置及操作系统有效
申请号: | 201610217235.5 | 申请日: | 2016-04-08 |
公开(公告)号: | CN107275325B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 黄绍璋 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 郭晓宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种保护装置及操作系统,包括一基底、一第一掺杂区、一第一井区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、一第四掺杂区、一第二井区、一第五掺杂区以及一第六掺杂区。基底具有一第一导电型。第一掺杂区设置在基底中,并具有一第二导电型。第一井区设置在第一掺杂区中,并具有第一导电型。第二掺杂区设置在第一掺杂区中,并未接触第一井区,并且具有第二导电型。第三掺杂区设置在第一井区中,并具有第一导电型。第四掺杂区设置在第一井区中,并具有第二导电型。第二井区设置在基底中,并具有第二导电型。第五掺杂区设置在第二井区中,并具有第一导电型。第六掺杂区设置在第二井区中,并具有第二导电型。 | ||
搜索关键词: | 保护装置 操作系统 | ||
【主权项】:
一种保护装置,其特征在于,包括:一基底,具有一第一导电型;一第一掺杂区,设置在该基底中,并具有一第二导电型;一第一井区,设置在该第一掺杂区中,并具有该第一导电型;一第二掺杂区,设置在该第一掺杂区中,并未接触该第一井区,并且具有该第二导电型;一第三掺杂区,设置在该第一井区中,并具有该第一导电型;一第四掺杂区,设置在该第一井区中,并具有该第二导电型;一第二井区,设置在该基底中,并具有该第二导电型;一第五掺杂区,设置在该第二井区中,并具有该第一导电型;以及一第六掺杂区,设置在该第二井区中,并具有该第二导电型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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