[发明专利]一种高抗侵蚀性碳化硅砖及其制备方法在审
申请号: | 201610217271.1 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105801143A | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 王俊涛;陈松林;叶亚红;刘锡俊;徐如林;尹超南 | 申请(专利权)人: | 瑞泰科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;C04B35/567;C04B35/63 |
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摘要: | 本发明涉及一种高抗侵蚀性碳化硅砖及其制备方法。原料包括碳化硅砂为70~98%、无定形二氧化硅为0~8%、小于0.044mm的Al4SiC4为1~10%,金属硅粉0~8%,小于0.088mm的炭黑0~6%,外加2~4%的硅溶胶结合剂。制备方法包括称取原料、湿碾、成型、干燥和烧成,将成型的砖坯在110~160℃下干燥8~24h,在氮气气氛下加热至1250~1550℃,并在此温度下保温2~15h烧成,出窑。产品的主要成分为:SiC67~97%。本发明所得的碳化硅砖产品性能优良,强度高、热膨胀系数小、磨损性好、热震稳定性好、抗侵蚀性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 侵蚀 碳化 硅砖 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高抗侵蚀性碳化硅砖,其特征在于:以重量百分比表示,原料为碳化硅砂、无定形二氧化硅、Al4SiC4、金属硅粉、炭黑和结合剂,所述碳化硅砂包括粒度3~1mm、小于1mm和小于0.088mm的三个粒度段,其中3~1mm的碳化硅砂为25~45%,小于1mm的碳化硅砂为10~25%,小于0.088mm的碳化硅砂为25~45%;无定形二氧化硅0~8%,粒度不大于0.044mm的Al4SiC4为1~10%,粒度不大于0.088mm的金属硅粉为1~8%,粒度不大于0.088mm的炭黑0~6%,另外加入占上述原料总重2~4%的硅溶胶结合剂;所述高抗侵蚀性碳化硅砖的主要成分为:SiC 67~97%,含有1~10%的Al4SiC4相。
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