[发明专利]用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法有效
| 申请号： | 201610217363.X | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105800547B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 曾毅波;郭航 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，涉及半导体工艺和微制造领域。在承载片上加工出比超薄硅片外径略大三段等径同心圆弧槽，并开设三段溢流槽，溢流槽与圆弧槽相连；采用旋涂的方法，把黏胶涂覆于圆弧槽底，用于圆弧槽定位和承载超薄硅片；对整体硅片进行热压；当超薄硅片完成后续化学机械抛光后，先后采用冷却后硫酸和双氧水混合液与热丙酮即可完全溶解并去除黏胶，实现超薄硅片与承载片的无破损、无应力分离。不仅可解决超薄硅片在化学机械抛光过程中难以夹持，易破碎的问题，同时能有效减小超薄硅片后续抛光时累积加工误差，显著降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 机械抛光 圆片级 超薄 硅片 临时 方法 | ||
【主权项】：
用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于包括以下步骤：1)在承载片上加工出比超薄硅片直径大80～150μm的三段等径同心圆弧槽，并开设三段溢流槽，溢流槽与圆弧槽相连；2)采用旋涂的方法，把黏胶涂覆于圆弧槽底，用于圆弧槽定位和承载超薄硅片；3)对整体硅片进行热压；4)当超薄硅片完成后续化学机械抛光后，先后采用冷却后硫酸和双氧水混合液与热丙酮即可完全溶解并去除黏胶，实现超薄硅片与承载片的无破损、无应力分离。
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