[发明专利]铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法有效
| 申请号： | 201610217456.2 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107268084B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 朱秀;许桂生;刘锦峰;田彦锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法，所述铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1‑y)(KxNa1‑x)NbO3‑y(Bi0.5Na0.5)ZrO3，其中0.4≤x≤0.6,0≤y≤0.1。本发明中，将原料与生长助剂混合预烧，并采用坩埚下降法生长得到铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶，通过添加生长助剂后的坩埚下降法生长晶体具有容易成核，晶体尺寸较大(2～20mm)且裂纹较少等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸钾钠 锆酸铋钠无铅 压电 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶的生长方法，其特征在于，所述铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1‑y)(KxNa1‑x)NbO3‑y(Bi0.5Na0.5)ZrO3，其中0.4≤x≤0.6，0.03≤y≤0.1，所述生长方法包括：1）按照(1‑y)(KxNa1‑x)NbO3‑y(Bi0.5Na0.5)ZrO3的化学计量比称取K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Bi2O3、ZrO2原料粉末，将原料粉末与0.1～10mol%生长助剂混合均匀得到混合粉体，所述生长助剂为氧化铜；2）将所述混合粉体进行预烧，得到晶体生长用预烧料；所述预烧的温度600～1000℃，保温时间3～6小时；3）将所述预烧料放入坩埚中，将坩埚装入引下管中，于500～1000℃保温3～10小时，然后升温至1200～1500℃，保温6～18小时，再将坩埚以0.1～1.5mm/小时速度下降，以10～100℃/小时冷却至室温得到铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶。
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