[发明专利]一种实现电路仿真的方法和装置有效
申请号: | 201610217650.0 | 申请日: | 2016-04-08 |
公开(公告)号: | CN105912769B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 殷树娟 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 韩辉峰;李丹 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种实现电路仿真的方法和装置,包括:根据电路的所有工艺电压温度PVT组合中的两个或两个以上PVT组合,获取高斯过程模型GPM中的超参数;根据获得的超参数采用GPM获取电路的所有PVT组合对应的特征参数;通过比较所有PVT组合的特征参数得到最坏情况的PVT组合。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 电路 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种实现电路仿真的方法,其特征在于,包括:根据电路的所有工艺电压温度PVT组合中的两个或两个以上PVT组合,获取高斯过程模型GPM中的超参数;根据获得的超参数采用GPM获取电路的所有PVT组合对应的特征参数;通过比较所有PVT组合的特征参数得到最坏情况的PVT组合;其中,所述根据电路的所有PVT组合中的两个或两个以上PVT组合,获取GPM中的超参数,包括:根据所述两个或两个以上PVT组合及其对应的特征参数获取GPM中的超参数;所述根据两个或两个以上PVT组合及其对应的特征参数获取GPM中的超参数包括:按照公式计算L的最大值对应的超参数;其中,N为用于获取超参数的PVT组合数,CN为协方差矩阵,|CN|为CN的行列式,tN为包含用于获取超参数的所有PVT组合对应的特征参数的向量,A为常数,P(D)为证据因子,CN的第i行第j列元素为Cij,i为1到n之间的整数,j为1到n之间的整数,为第i个PVT组合对应的向量的第k1个元素,为第j个PVT组合对应的向量的第k1个元素,λi为第i个超参数。
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