[发明专利]一种全CMOS单刀双掷开关电路

摘要

本发明涉及一种单刀双掷开关(SPDT)结构，尤其是使用CMOS工艺实现的单刀双掷开关结构。这是一种使用CMOS工艺实现的具有高隔离度，高功率容量，低损耗的单刀双掷开关结构，属于CMOS射频集成电路中的开关领域。本发明采用晶体管栅端与体端浮动偏置，晶体管的栅端与体端分别通过大电阻接地，使得晶体管能够传输大功率信号；本发明使用漏源浮动电压偏置技术，使得晶体管能够在关闭状态时避免因为漏端与源端的大信号而出现周期性开启；本发明使用到地电感技术，使得整个CMOS单刀双掷开关减少了损耗。本发明提供的CMOS单刀双掷开关能够实现瓦特级功率容量，有效的减少传输损耗，并且实现高隔离度。本发明设计的单刀双掷开关结构简单，性能优良，可以很好的用于射频集成电路领域，是实现全集成射频电路的关键技术。

主权项

一种全CMOS单刀双掷开关电路，其特征在于，包括发射支路，接收支路，以及到地谐振电感，还包括所述发射支路的发射端口、所述接收支路的接收端口、天线端口、天线到地的地端口、分别与所述发射支路和所述接收支路相连的CNT与CNT_NOT控制信号端口，其中所述到地谐振电感连接在所述天线端口与所述地端口之间。