[发明专利]一种贵金属微纳米结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610218107.2 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105891185A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 易国斌;黎志伟;罗洪盛;俎喜红 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种贵金属微纳米结构及其制备方法和应用，先将热致型形状记忆高分子材料溶解后涂覆、干燥得到形状记忆高分子薄膜；然后在特定温度下，将形状记忆高分子薄膜拉伸10～30％，自然冷却到室温，形状记忆高分子薄膜维持为拉伸后的状态，再在其表面制备贵金属纳米粒子层，置于特定温度的环境中，使拉伸后的形状记忆高分子薄膜沿拉伸方向恢复至最初尺寸，即制得贵金属微纳米结构。本发明的制备方法利用形状记忆高分子材料的特性制备具有特殊立体结构的贵金属微纳米结构，将制得的贵金属微纳米结构用做表面增强拉曼散射光谱活性基底，可以显著提高检测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 贵金属 纳米 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种贵金属微纳米结构的制备方法，包括以下操作步骤：将热致型形状记忆高分子材料溶解后涂覆并干燥，得到形状记忆高分子薄膜；在温度为T0的环境下，将形状记忆高分子薄膜沿同一方向拉伸10～30％，然后自然冷却到25‑30℃，形状记忆高分子薄膜维持为拉伸后的状态，得到拉伸后的形状记忆高分子薄膜；在拉伸后的形状记忆高分子薄膜表面制备贵金属纳米粒子层，得到复合材料，将复合材料置于温度为T1的环境中，使拉伸后的形状记忆高分子薄膜沿拉伸方向恢复至最初尺寸，即在形状记忆高分子薄膜上制得贵金属微纳米结构；所述T0是使热致型形状记忆高分子材料处于高弹态的温度；且Tg≤T1≤Tm,Tg是热致型形状记忆高分子材料的玻璃化转变温度，Tm是热致型形状记忆高分子材料的熔点。
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