[发明专利]气相生长方法有效
| 申请号： | 201610218148.1 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057658B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 高桥英志;佐藤裕辅 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制在硅基板上形成氮化镓时产生裂纹的气相生长方法。实施方式的气相生长方法为，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在第一氮化镓膜上形成第二氮化镓膜。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气相生长方法，其特征在于，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在所述氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在所述氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于所述第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在所述第一氮化镓膜上形成单晶的第二氮化镓膜，以岛状形成所述第一氮化镓膜，并将所述第一氮化镓膜的高度的平均值设置为10nm以上50nm以下，以与所述氮化铝镓膜和所述第一氮化镓膜接触的方式形成所述第二氮化镓膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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