[发明专利]一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片在审

专利信息
申请号: 201610218194.1 申请日: 2016-04-11
公开(公告)号: CN105679196A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 刘海明 申请(专利权)人: 深圳市丽格特光电有限公司
主分类号: G09F9/33 分类号: G09F9/33;H01L33/48;H01L33/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及半导体光电子技术领域,具体涉及一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片,所述该芯片利用氮化镓基LED的发光来激发尺度不同的硒化镉(CdSe)量子点(QD)分别产生红,绿,蓝三元色,所述该芯片一个像素由红,绿,蓝三个独立发光的微米级LED组成,所述激光发量子点由n-Gan与p-Gan组成,所述激发量子点的Gan基蓝光芯片采用倒装GaN基LED,所述p-GaN 的电极通过键合的方法转移到其它衬底,所述衬底上形成有像素的驱动电路。采用GaN 蓝光芯片激发CdSe量子点产生红,绿,蓝的全彩色微显示器的方案,具有更好的色域覆盖率、色彩控制精确性、红绿蓝色彩纯净度。工艺简单,低成本的优势。
搜索关键词: 一种 基于 氮化 led 量子 技术 彩色 高分辨率 显示 芯片
【主权项】:
一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片,其特征在于:所述该芯片利用氮化镓基LED的发光来激发尺度不同的硒化镉(CdSe)量子点(QD)分别产生红,绿,蓝三元色,所述该芯片一个像素由红,绿,蓝三个独立发光的微米级LED组成,所述激光发量子点由n‑Gan与p‑Gan组成,所述激发量子点的Gan基蓝光芯片采用倒装GaN基LED,所述p‑GaN 的电极通过键合的方法转移到其它衬底,所述衬底上形成有像素的驱动电路。
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