[发明专利]降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置在审
| 申请号： | 201610218416.X | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107275250A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 林志鑫;赵旭良 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置。所述降低预抽腔体中芯片温度的方法包括提供一预抽腔体及一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；分别在该预抽腔体的内表面以及该芯片承载盘的表面添加一层薄膜，该薄膜的热辐射吸收系数大于等于0.8W/(m·K)。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 预抽腔体中 芯片 温度 方法 降温 装置 | ||
【主权项】：
一种降低预抽腔体中芯片温度的方法，包括：提供一预抽腔体及一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；以及分别在该预抽腔体的抛光氧化铝内表面以及该芯片承载盘的抛光氧化铝表面连接至少一层第一薄膜及至少一层第二薄膜，且该至少一层第一薄膜与该至少一层第二薄膜的热辐射吸收系数均大于等于0.8W/(m·K)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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