[发明专利]同轴馈电低阻侧壁阶跃阻抗的半槽天线在审

专利信息
申请号: 201610218535.5 申请日: 2016-04-08
公开(公告)号: CN105811092A 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 刘艳群;殷晓星;赵洪新 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q13/10;H01Q5/10
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 同轴馈电低阻侧壁阶跃阻抗的半槽天线涉及一种缝隙天线,该天线包括介质基板(1)、介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);金属地(2)上有辐射槽缝(3);辐射槽缝(3)的一端短路,另一端(6)开路;在辐射槽缝(3)近开路端部分有两条金属化侧壁(7)形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)其余部分是高阻槽缝(9),同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相连,同轴馈线(4)末端内导体(12)跨过高阻槽缝(9)在其边缘(11),与金属地(2)连接。该天线是多频带工作,可减少天线尺寸、交叉极化、遮挡和改善隔离。
搜索关键词: 同轴 馈电 侧壁 阶跃 阻抗 天线
【主权项】:
一种同轴馈电低阻侧壁阶跃阻抗的半槽天线,其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接;金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;辐射槽缝(3)的的一端短路,另一端(6)开路;在辐射槽缝(3)靠近开路端的部分,其槽缝的两个边缘,有两条金属化侧壁(7),使得辐射槽缝(3)靠近开路端的部分的特性阻抗变低,形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9),高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3),产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带;金属化侧壁(7)穿越介质基板(1),一头与金属地(2)相连,另一头在介质基板(1)的另一面;同轴馈线(4)的一端是天线的端口(10),同轴馈线(4)另一端的内导体(12)跨过高阻槽缝(9),在高阻槽缝(9)的边缘(11),与金属地(2)连接。
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